“新基建”是近期热词之一。国家发改委近日首次明确新型基础设施的范围———新型基础设施是以新发展理念为引领,以技术创新为驱动,以信息网络为基础,面向高质量发展需要
2月24日消息,据日本共同社报道,为了应对网络攻击及其他国际威胁,美国及日本等42个加入《瓦森纳协定》的国家,决定扩大出口管制范围,目
近日半导体行业观察讯,在中国(绍兴)第二届集成电路产业峰会上,中芯国际宣布,中芯绍兴项目顺利通线投片。中芯绍兴是近年来绍兴集成电路
近日,安徽中科昊海气体科技有限公司高纯特种电子气体项目正式奠基。资料显示,为了打破国外气体公司对高纯电子气体的技术垄断,2019年1月
从工信部获悉,工信部将大力推动显示产业创新攻关,支持优势面板企业与配套企业协同创新,共同提高关键材料与核心设备的技术水平及供给能力
9月21日,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司大硅片项目在杭州钱塘新区竣工投产,实现了8英寸大硅片的正式量产,同时12英寸大硅片生产线
据宜兴市委宣传部报道,9月27日上午,中环领先集成电路用大直径硅片项目投产仪式在陶都江苏宜兴成功举行。 据悉,中环领先集成电路用
2019年7月2日,浙江金瑞泓科技股份有限公司传过来捷报,旗下子公司金瑞泓微电子(衢州)有限公司成功拉制出第一根拥有完全自主知识产权的量
6月13日晚,康佳集团股份有限公司发布公告称,为了加快公司半导体业务发展,近日,康佳集团股份有限公司与重庆市璧山区人民政府签署了《合
近日,在第十届湖北潜江国际龙虾节暨第三届虾稻产业博览会经贸招商活动上,长江产业基金与潜江市政府、苏州晶瑞化学股份有限公司签署了晶瑞
在集成电路制造过程中,光刻是非常重要的一环,它决定了芯片的最小特征尺寸,而光刻胶是光刻工艺得以顺利实现的关键材料。在国内大力发展集成电路产业的大背景下,国产光刻胶如何满足
保利协鑫于3月29日早间发布2018年度业绩公告,公司全年生产61,785吨多晶硅及24,189兆瓦硅片,继续位列全球第一。截至2018年12月31日止,收益达人民币205 7亿元,毛利约人民币50 4亿元
集成电路的飞速发展,离不开材料和系统集成技术的支撑。高纯金属溅射靶材作为芯片制造、封装中物理气相沉积(PVD)工艺所需关键材料,应用于各种功能薄膜的制备。它的发展壮大不仅能极
3月27日,弘硕科技(宁波)有限公司(以下简称弘硕科技)锡球、锡条等半导体集成电路材料生产项目(以下简称封装材料项目)在芯港小镇举行开工奠基仪式。 据介绍,弘硕科技由台湾恒
美国加州时间2019年4月2日 - SEMI Materials Market Data Subscription公布全球半导体材料市场在2018年增长10 6%,推动半导体材料销售额达到519亿美元,超过2011年471亿美元的
备受半导体业界瞩目的中国国际半导体设备与材料展暨研讨会(SEMICON China 2019)近日于上海落幕,贵金属领域知名企业田中贵金属集团展出了其键合丝、各类电镀制程解决方法等领域的
在江西九江市委、市政府主要领导的高位推动下,3月29日,由泰科天润半导体科技(北京)有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。该项目的落
TCL集团近日接受机构调研时表示,t3产线目前已经满产满销,对国际一线品牌大客户的出货量大幅增长,武汉华星光电正在对产线进行改造,以进一步扩充产能满足客户需求,预计2019年5月面
近日,中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索,通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺,有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题,采用导模法成功
折叠屏手机大热 国内所需核心设备材料仍被卡脖子。在智能手机增长乏力的大势下,不少手机厂商都将目光瞄准了手机外观形态变化较大的折叠屏。巴塞罗那当地时间2月24日,华为推出了业
28日上午,2019年第一批浙江省扩大有效投资重大项目集中开工活动举行。嘉兴选择将重大项目集中开工分会场选在中晶(嘉兴)半导体有限公司年产480万片12英寸硅片项目场地。 中晶(嘉
2月27日,山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发与产业化项目作为济南114个集中开工项目之一正式开工。 碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之
截至目前,银和半导体集成电路大硅片二期项目所有土建工程全部结束,正在对车间内的地平、内装进行改造。前期30台8英寸拉晶炉设备,预计安装时间在3月15日以后,7月份之前,所有设备
近日,单晶硅龙头企业隆基绿能科技股份有限公司公布了在中国云南、马来西亚古晋两地投建多个单晶硅项目的公告。 公告中,隆基股份表示,公司计划投资在保山年产6GW单晶硅棒建设项目
中芯国际发布2018年第四季度财报,销售额7 876亿美元,受半导体市场转冷影响,比第三季度略有下降。不过,中芯国际在先进工艺开发方面取得突破性进展,第一代FinFET 14nm工艺进入客