年产5万片GAN单晶衬底及外延片 苏州纳维科技总部大楼奠基

时间2021-02-01 14:25:31来源:作者:admin 点击:
       近日,苏州纳维科技有限公司在园区举行总部大楼奠基仪式。

       项目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

       苏州纳维科技成立于2007年5月,致力于第三代半导体产业核心关键材料——氮化镓单晶衬底的产业化开发。

       经过多年攻关,纳维科技完成了从材料生长设备的自主研发到氮化镓单晶衬底的开发和产业化,率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术,是目前国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业,产品性能综合指标国际领先。

        当下,第三代半导体正在为多个产业带来变革性的发展动力,而高质量的单晶衬底的重要性越来越明晰。纳维科技掌握了氮化镓单晶衬底产业化的成套核心技术,产品生产已经供不应求。

       纳维科技董事长徐科表示,此次奠基的总部大楼将重点承担纳维科技在生产、研发等方面的需求,标志着我们在市场、生产、研发等方面全面发力。

        第三代半导体产业是推动5G、新能源等战略性产业发展的关键基础一直以来半导体行业都是园区重点布局的产业。

       随着中科院纳米所、材料科学姑苏实验室等重大创新载体的加快建设,包括纳维科技在内的一批创新势头强劲的企业加快成长,园区第三代半导体上、中、下游产业链规模初显,目前已集聚全国80%的氮化镓领域“国家级重点人才”,掌握了一批核心自主知识产权,已成为国内最具影响力的人才和技术高地。

       目前,园区正努力争创“国家第三代半导体技术创新中心”“国家先进制造业集群”“国家重大科技基础设施”等国家级平台,抢抓当前发展机遇为建设成为世界一流高科技园区而不断努力。