报道指出，三菱重工、丰田汽车子公司电装和日本开发银行投资的Flosfia将大规模生产使用氧化镓（硅的替代品）作为半导体材料的功率半导体。
据该公司称，与当前的半导体器件相比，这些器件可以将功率损耗降低 70%。此外，它们还可以将 EV 功耗降低 10%，从而延长一次充电的续航里程。
Flosfia 的目标是到 2023 年夏季实现每月数十万的生产能力。这些器件将出售给汽车零部件制造商。该公司计划将生产外包给日本国内电子公司，目标是到 2030 年实现 1000 亿日元（7.32 亿美元）的销售额。
随着电动汽车需求的增加，该公司希望在欧洲和美国的竞争对手之前将其设备商业化。
一次充电的续驶里程是电动汽车性能的关键因素。电动汽车制造商通过提高电池性能和减轻车辆重量，突破了车辆行驶距离的极限。
Flosfia 是从半导体材料层面应对 EV 续航里程挑战的公司之一。除氧化镓外，碳化硅已成为一种有前途的发展途径。特斯拉成为第一个在量产汽车中使用碳化硅功率半导体的同行。
功率半导体器件控制电机和其他 EV 部件中的电流和电压。日本公司在半导体领域的整体份额较小，但在该领域仍具有优势。
三菱电机、东芝和富士电机合计占据全球功率半导体市场约 20% 的份额。在日本政府支持的新能源和工业技术开发组织的支持下，像 Flosfia 这样的新公司正在该行业找到一席之地。
今年年初，日本从事半导体研发的Novel Crystal Technology（NCT，埼玉县狭山市）发布消息称，该公司与日本酸素控股旗下的大阳日酸、东京农工大学一起，成功实现了氧化镓功率半导体的6英吋成膜。由于可在较大晶圆上成膜，估计可大幅削减晶圆生产成本。氧化镓功率半导体被期待帮助纯电动汽车（EV）等减少电力消耗。
这是作为日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的战略项目实现的研发。大阳日酸和东京农工大学开发了可按6英吋晶圆进行成膜的装置。
以往的技术只能在最大4英吋晶圆上成膜，NCT在世界上首次实现6英吋的成膜。有助于削减生产成本，有望把成本降到「碳化矽（SiC）功率半导体的三分之一」（NCT相关人员）。
据NCT预测，氧化镓晶圆的市场到2030年度将扩大到约590亿日元规模。该公司的目标是在确立晶圆量产技术后，2024年度销售晶圆的量产装置。将销售给大型功率半导体厂商，用于实现纯电动汽车等的节能。
同样是在今年上半年，源自日本东北大学的初创企业C&A与东北大学教授吉川彰的研发团队开发出一种技术，能以此前100分之1的成本制造有助于节能的新一代功率半导体的原材料“氧化镓”。新技术不需要昂贵的设备，成品率也将提高。计划在2年内制造出实用化所需的大尺寸结晶。
研发团队开发出了通过直接加热原料来制造氧化镓结晶的设备，制造出了最大约5厘米的结晶。将原料装入用水冷却的铜质容器，利用频率达到此前约100倍的电磁波，使原料熔化。
传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶。要制造直径约15厘米的实用性结晶，仅容器就需要3000万～5000万日元，还存在结晶的质量不够稳定等课题。
据称由于不需要昂贵的容器等原因，利用新方法能以目前约100分之1的成本制造氧化镓结晶。力争在2年内制造出直径15厘米以上的结晶。
现在的功率半导体主要把硅用于基板，但课题是会产生电力损耗。氧化镓与碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等一起，作为新一代材料受到期待。据称氧化镓的电力损耗在理论上仅为硅的约3400分之1、碳化硅的约10分之1。
如果纯电动汽车（EV）的马达驱动用电源采用氧化镓制的功率半导体，就算电池容量相同，也能行驶更远距离。C&A和东北大学的团队将利用新方法降低此前成为瓶颈的生产成本，推动实用化。
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