中国首条8英寸硅基氮化镓生产线投产

时间2019-05-07 23:48:42来源:作者:admin 点击:
   

 11月9日,英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。

氮化镓又被称作第三代半导体,是当今世界上最具潜力的半导体材料之一,并被预言将会在不久的未来改变世界。硅基氮化镓产业早在20年前就开始在欧洲和美国等地发展,如今在产品和技术方面已经取得了重大进展。然后,在中国该产业才刚起步,中国在这一产品领域尚属空白。

英诺赛科(珠海)科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术,突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战,将碎片率大幅降至1%以下领先水平。经过两年的努力,该公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线,主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件,设计及性能均达到国际最先进水平,将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。

“建设一个自主可控、安全的生产体系,这是半导体行业、信息产业的责任。企业只有建立起自己的研发体系、人才体系,这样才能不断进步,不断领先。”中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田当天在现场表示,作为半导体行业协会,政策上将着重在科研体系的建立、人才培养等方面给予关注,与所有企业一起改善环境,参与国际竞争、国际交流,推动产业发展。

当天,多名业内专家在随后举行的研讨会上谈到,氮化镓产业已经到了爆发前夜,在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破,为今后该领域的发展奠定了良好基础,必将为中国在半导体领域实现“换道超车”作出重要贡献。