美国加码芯片禁令!涉金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料

      前两项是氧化镓（Ga2O3）、金刚石这两类超宽禁带半导体材料，这两种被普遍视作第四代半导体材料，拥有更加优越的各方面性能；第3项是开发GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路必须用到的ECAD（电子计算机辅助设计）软件；第4项是生产开发燃气涡轮发动机部件或系统所需的压力增益燃烧（PGC）技术，可用于航空航天、火箭和超高音速导弹系统。
      对前两项和第四项的出口管制将自今年8月15日生效，对第三项的出口管制将在自今年8月15日起算60天后生效。      
       3项被新增出口管制的先进芯片相关技术中，ECAD是开发GAAFET的必备软件工具，被军用和航空航天国防工业用于设计复杂的集成电路、现场可编程门阵列（FPGA）、专用集成电路（ASIC）和电子系统。
      美国商务部工业和安全局正在征求公众意见，以决定ECAD的哪些具体功能尤其适用于设计GAAFET电路，确保美国政府能有效实施管制。

       据悉GAAFET是制造2nm及更先进制程工艺所不可或缺的晶体管结构，能提供比上一代主流晶体管结构FinFET更好的静电特性、更强的沟道控制能力，推动先进制程持续演进。目前三星采用GAAFET结构的3nm芯片已经量产，台积电亦在紧锣密鼓地推进GAAFET研发，计划将其导入2nm制程节点。
       氧化镓能实现更高功率、更低损耗、更低成本、更好性能，被期待用于功率半导体，目前已实现大尺寸（6英寸）突破。日本在该领域的研究领先全球，率先实现量产并进入产业化阶段，我国科技部亦将氧化镓列入“十四五重点研发计划”。
      金刚石很早就被称作“终极半导体”，拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温等特性，被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料，用其作为半导体芯片衬底，有望完全解决散热问题，并利用金刚石的多项超级优秀的物理化学性能。