四强投资动作暗潮汹涌 欲争夺3D NAND市场

时间2019-05-07 23:15:42来源:作者:admin 点击:
   

尽管目前全球存储器四强竞局维持平衡状态,然近期各厂投资动作频频,包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)与东芝(Toshiba)为量产3D NAND Flash,纷投资建厂或以既有生产线进行转换,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash,业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。

半导体业者表示,3D NAND技术是未来存储器产品主流,然技术层次及难度十分高,目前在制程良率上仍面临许多挑战,预计2016年真正顺利量产的存储器大厂只有三星,其他业者仍在全力追赶中,全球3D NAND赛局甫揭开序幕。

值得注意的是,3D NAND技术带来突破性的成本降低,将攸关固态硬碟(SSD)市场发展,未来云端伺服器及企业SSD应用,亟需成本降低的存储器解决方案来驱动市场快速成长,目前看来3D NAND技术能做到大量取代传统硬碟,让SSD市场渗透率飞跃前进。

现阶段全球存储器产业维持四强寡占的平衡竞局,但各厂台面下投资动作暗潮汹涌,三星与SK海力士在2015年初宣布大规模的长期设备投资计划,美光与东芝亦致力发展NAND Flash新技术,建厂计划如火如荼进行中,业界预期存储器产业平衡状态可能在未来3~4年内被打破。

根据韩媒D-Daily报导,SK海力士最近宣布未来10年内将投资46兆韩元(约396亿美元),兴建包含利川M14在内的3个新厂,若加计维护及建物设备投资,总投资额高达75兆韩元(约645亿美元)。

目前SK海力士拥有的12吋生产线有利川M10、忠北清州M11M12及大陆无锡HC2,其中,利川与无锡厂生产DRAM,清州厂生产NAND Flash,原本M10厂负责的DRAM会移转到M14新厂生产,M1020纳米级DRAM产能为13万片12吋晶圆,M14新厂产能为20万片,未来将可视需求快速扩产,至于M10厂未来可能用来生产系统芯片、NAND Flash或做为研发设施。

三星正在京畿道平泽建设新厂,预定2017年上半启用,第一期投资额15.6兆韩元(约134亿美元),估计12吋晶圆产量可达20万片,但生产项目仍未定;原本打算做为系统LSI厂的华城17产线,先改为生产DRAM;至于三星大陆西安NAND Flash厂首期生产规模为每月10万片12吋晶圆。

美光在购并尔必达(Elpida)之后,将新加坡DRAM厂转为生产NAND Flash,且致力发展3D NAND Flash,新加坡10X厂第1季开始进行量产3D NAND Flash的设备转换,预定2016年中投入量产。至于美光与英特尔(Intel)合资公司IM Flash,则陆续购并美国与新加坡NAND Flash工厂投入营运。

另外,日厂东芝与美国SanDisk合资的3家大型NAND Flash制造厂亦陆续启动,其中,属于超大型工厂的晶圆五厂已完成第二阶段投资开始启动,改建为尖端生产线的晶圆二厂最近在进行测试,预估2016年完工后将扩大供应量。