台大研发零缺陷半导体材料 登国际期刊

传统上，当半导体材料越薄，其缺陷对于电子、光电元件的效能就有越严重的影响，一直是难以突破的困境。台湾大学跨国团队研发出独步全球的零缺陷半导体材料，透过“修复缺陷”简单方法，让单层二维半导体材料能达到零缺陷等级，可提升LED发光效能100倍。上月研究刊登在“科学”《Science》期刊。

　　二维半导体材料具有特殊的电子传导、光学、机械特性，可整合于现今半导体元件制程，被学界认为有很大潜力取代传统矽材原料，其中中二硫化钼(MoS2)是最热门的半导体二维材料之一，但以目前合成制备技术，二维材料的缺陷密度还是太高，成为应用瓶颈，如何减少、控制缺陷是所有半导体材料需克服的问题。

　　台大跨国研究团队透过将二维材料浸润于一种称为亚胺(bistriflimide)的有机超强酸中，可大幅提高二维材料的量子效率，从不到1%增加到接近100%，单层薄膜能达到完美的“零缺陷”，大幅提高发光效率。技术可望用于开发透明LED显示器、超高效太阳能电池、高灵敏度光侦测器、低功耗的奈米级电晶体等。 台大表示，这项研究的跨国研究团队由加州大学柏克莱分校教授Ali Javey、阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)教授何志浩(前台大电机系教授)、前台大校长李嗣涔等共同组成。研究的共同第一作者连德轩，今年刚完成博士口试，本学期将毕业，现已在加州柏克莱大学执行科技部第二年的龙门计画，毕业后则将继续在加州大学柏克莱分校继续担任博士后研究员。